Os chips feitos de carbeto de silício (SiC) são fundamentais para tornar os automóveis elétricos mais eficientes e aumentar a sua autonomia. A Bosch elevou agora o desenvolvimento destes chips para um novo patamar: a empresa começou a introduzir chips de carbeto de silício de terceira geração e está a fornecer amostras aos fabricantes automóveis de todo o mundo.
“Os semicondutores de carbeto de silício são os principais impulsionadores da eletromobilidade. Controlam o fluxo de energia e tornam-no o mais eficiente possível. Com a nossa nova geração de chips SiC, estamos a expandir de forma sistemática a nossa liderança tecnológica nesta área e a ajudar os nossos clientes a colocar na estrada veículos elétricos ainda mais potentes e eficientes”, afirma Markus Heyn, membro do conselho de administração da Bosch e presidente da divisão Bosch Mobility. “A nossa ambição é clara: queremos ser um fabricante líder mundial de chips SiC”, reforça.
Análises da empresa de estudos de mercado e consultoria Yole Intelligence preveem que o mercado global de semicondutores de potência em SiC cresça de 2,3 mil milhões de dólares norte-americanos em 2023 para cerca de 9,2 mil milhões de dólares até 2029, impulsionado principalmente pela eletromobilidade.
Os semicondutores de carbeto de silício (SiC) “comutam muito mais rapidamente e de forma mais eficiente do que os chips de silício convencionais. Reduzem as perdas de energia e permitem uma maior densidade de potência na eletrónica”, explica a empresa.
Os semicondutores de nova geração da Bosch oferecem não só uma vantagem tecnológica, mas também económica. “Os nossos chips de nova geração oferecem 20% mais desempenho e são também significativamente mais pequenos do que a geração anterior”, afirma Heyn. “Esta miniaturização é a chave para uma maior eficiência de custos, uma vez que podemos produzir muito mais chips por wafer. Isto significa que estamos a desempenhar um papel fundamental em tornar a eletrónica de alto desempenho mais acessível.”
A Bosch já forneceu mais de 60 milhões de chips SiC em todo o mundo desde que a primeira geração entrou em produção em 2021.
Nos últimos anos, a Bosch avançou significativamente no desenvolvimento de chips SiC, aumentando ao mesmo tempo a sua capacidade de produção e de salas limpas. A empresa investiu cerca de 3 mil milhões de euros em semicondutores, no âmbito dos programas de financiamento europeus IPCEI (Important Projects of Common European Interest) para a microeletrónica e tecnologias de comunicação.
A sua fábrica de wafers em Reutlingen, na Alemanha, desenvolve e produz os chips SiC de terceira geração em modernos wafers de 200 milímetros. No início de 2025, a Bosch adquiriu uma segunda fábrica para produção de chips SiC em Roseville, na Califórnia, e está atualmente a equipá-la com instalações de produção de última geração e altamente complexas. A empresa está a investir mais 1,9 mil milhões de euros nesta unidade nos Estados Unidos, que irá fabricar e fornecer os seus primeiros chips SiC ainda este ano — inicialmente sob a forma de amostras para testes de clientes.
“No futuro, a Bosch irá fornecer os seus inovadores chips SiC a partir destas duas fábricas na Alemanha e nos Estados Unidos”, afirma Heyn. Isto permitirá cadeias de abastecimento mais robustas e resilientes no contexto da rápida expansão da eletrificação da indústria automóvel. A médio prazo, a Bosch pretende expandir a sua capacidade de produção de semicondutores de potência SiC para volumes na ordem das centenas de milhões de unidades.
A Bosch utiliza uma experiência de fabrico única para tornar os seus chips simultaneamente mais pequenos e mais potentes. A empresa adaptou o seu processo de gravação (etching), que existe desde 1994 e é conhecido em toda a indústria como o “processo Bosch”. Originalmente desenvolvido para sensores, este processo permite fabricar estruturas verticais de elevada precisão em carbeto de silício. Este design aumenta significativamente a densidade de potência dos chips, um fator decisivo para o desempenho superior da terceira geração.
